Transistor IRFP260 – MOSFET de Potencia Canal N
- Tipo: MOSFET Canal N
- Voltaje drenador-puerta (Vds): 200 V
- Corriente continua de drenador (Id): 46 A (a 25 °C)
- Corriente de pulso: hasta 160 A
- Resistencia de conducción (Rds(on)): 0.04 Ω máx.
- Voltaje puerta-umbral (Vgs(th)): 2 – 4 V
- Voltaje máximo puerta-fuente (Vgs): ±20 V
- Potencia disipada (Pd): 280 W